Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y153-100E,115
TRANSISTOR >30MHZ
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y153-100E
BUK9Y153-100E,115 Hakkında
BUK9Y153-100E,115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 9.4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu transistör, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 146mOhm maksimum On-direnci, 5V sürü gerilimi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. SC-100 (SOT-669) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı uygulamalar için uygunlaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 716 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 146mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok