Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y12-55B,115
NOW NEXPERIA BUK9Y12-55B - 61.8A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y12-55B
BUK9Y12-55B,115 Hakkında
BUK9Y12-55B, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 61.8A sürekli dren akımı, 55V dren-kaynak gerilimi ve 11mOhm maksimum Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük kayıp ile yüksek akım yönetimi sağlar. SC-100 (SOT-669) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygun hale getirilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. MOSFET teknolojisine dayalı olarak, 32nC gate charge ve 2880pF input capacitance karakteristikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok