Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9Y113-100E,115
MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9Y113-100E
BUK9Y113-100E,115 Hakkında
BUK9Y113-100E,115, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey monte pakajında sunulan bu transistör, 5V gate sürüş geriliminde 110mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 45W güç tüketebilir. Motor kontrol, güç dönüştürme, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 8.4nC gate charge ve 870pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok