Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK9Y104-100B,115

TRANSISTOR >30MHZ

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
BUK9Y104

BUK9Y104-100B,115 Hakkında

BUK9Y104-100B,115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 14.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 99mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açık direnç sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. SC-100 (SOT-669) ve LFPAK56 Power-SO8 paketlerinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 5V ve 10V drive voltajlarında çalışır, 11nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1139 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 59W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok