Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK9M6R6-30EX

BUK9M6R6-30E - N-CHANNEL 30V, LO

Paket/Kılıf
SOT-1210
Seri / Aile Numarası
BUK9M6R6-30E

BUK9M6R6-30EX Hakkında

BUK9M6R6-30EX, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 70A sürekli dren akımı sağlayabilen, düşük on-dirençli (Rds On: 5.3mOhm @ 10V) bir güç transistörüdür. SOT-1210 8-LFPAK33 paketine sahip olan bu bileşen, endüstriyel sürücüler, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 75W güç tüketebilen bu transistör, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2001 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package LFPAK33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok