Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9E08-55B,127
NEXPERIA BUK9E08-55B - 75A, 55V,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9E08-55B
BUK9E08-55B,127 Hakkında
BUK9E08-55B,127, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75A sürekli drenaj akımı ve 55V drenaj-kaynak gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 7mΩ maksimum kapalı-devre direnci (Rds On) sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürme, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC converterlerde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi geniş sıcaklık aralıklarında güvenilir işletim imkanı sunar. Gate charge değeri 45nC olup, hızlı anahtarlama performansı gerektiren devreler için uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 203W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok