Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK9E04-30B,127

MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
BUK9E04-30B

BUK9E04-30B,127 Hakkında

BUK9E04-30B,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 3mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 56nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde gelen bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışır. Motor kontrolü, güç yönetimi, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±15V maksimum gate voltajı ve 2V threshold voltajı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6526 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package I2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok