Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9C10-55BIT/A,11
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9C10-55BIT
BUK9C10-55BIT/A,11 Hakkında
BUK9C10-55BIT/A,11, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-7) yüzey montaj paketi içinde gelmektedir. 9mOhm maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 194W maksimum güç tüketimi spesifikasyonuna sahiptir. Gate charge karakteristiği 51nC (@5V) olup, 4.5V ve 10V sürüş gerilimlerinde optimize edilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4667 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 194W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok