Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK969R3-100E,118
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK969R3-100E
BUK969R3-100E,118 Hakkında
BUK969R3-100E,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketlemesi sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. 8.9mΩ on-resistance (Rds(on)) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 263W güç dağıtabilir. Gate charge 94.3nC olup hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok