Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK969R0-60E,118
NOW NEXPERIA BUK969R0-60E - 75A,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK969R0-60E
BUK969R0-60E,118 Hakkında
BUK969R0-60E, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75A sürekli dren akımı, 60V dren-kaynak gerilimi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 8mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok