Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK965R8-100E,118
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK965R8-100E
BUK965R8-100E,118 Hakkında
BUK965R8-100E,118, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile PCB'ye direkt entegrasyon sağlar. 5.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları ve yüksek verimlilik sunur. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve DC-DC converter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 357W güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 133 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok