Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK962R8-60E,118
NOW NEXPERIA BUK962R8-60E - 120A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK962R8
BUK962R8-60E,118 Hakkında
BUK962R8-60E, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120A sürekli dren akımı ve 60V drain-source gerilim değerleriyle güç uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıplarını sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, güç dönüştürücüleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 324W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. ±10V gate gerilim aralığında kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 324W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok