Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK962R6-40E,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK962R6
BUK962R6-40E,118 Hakkında
BUK962R6-40E,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (2.4mΩ @ 10V) nedeniyle güç uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 263W maksimum güç yayınlama kapasitesi ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80.6 nC @ 32 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10285 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok