Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK961R6-40E,118
120A, 40V, 0.0016OHM, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK961R6-40E
BUK961R6-40E,118 Hakkında
BUK961R6-40E,118, Rochester Electronics tarafından üretilen 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj derecesi ve 1.4mΩ (Rds On @ 25A, 10V) ile düşük iletim direnci sunar. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu FET, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bileşen, 357W maksimum güç saçabilir. 120nC gate charge ve 16400pF input kapasitans özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok