Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK961R4-30E,118
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK961R4-30E
BUK961R4-30E,118 Hakkında
BUK961R4-30E,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (1.4mΩ @ 25A, 5V) sayesinde güç dönüşüm uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 357W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. NOT: Bu ürün obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 25A, 5V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok