Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK9609-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK9609-55A
BUK9609-55A,118 Hakkında
BUK9609-55A, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 10V gate geriliminde 8mOhm'luk düşük on-resistance ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, motor sürücüleri, güç kaynakları, DC/DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 60nC maksimum gate yükü hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4633 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 211W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok