Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK7Y65-100EX

TRANSISTOR >30MHZ

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
BUK7Y65-100

BUK7Y65-100EX Hakkında

BUK7Y65-100EX, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 19A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu transistör, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 10V gate voltajında çalışan transistör, -55°C ile 175°C arasında geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Power MOSFET teknolojisi ile üretilen BUK7Y65-100EX, endüstriyel kontrol sistemleri, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanmaktadır. SC-100 (LFPAK56) paketinde sunulan bileşen, yüksek yoğunluk ve verimli ısı dağılımı gerektiren uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1023 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok