Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK7Y35-55B,115

MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK56

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
BUK7Y35-55B

BUK7Y35-55B,115 Hakkında

BUK7Y35-55B,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 28.43A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. SC-100 (LFPAK56) paketindeki bu bileşen, 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 60W maksimum güç yayılımı kapasitesi ve 13.1nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Endüstriyel kontrol, elektrik aletleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28.43A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 781 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok