Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK7Y12-100EX

MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
BUK7Y12-100EX

BUK7Y12-100EX Hakkında

BUK7Y12-100EX, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim ve 85A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunar. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5067 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok