Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK7Y113-100EX

MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
BUK7Y113

BUK7Y113-100EX Hakkında

BUK7Y113-100EX, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 12A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. LFPAK56 (SOT-669) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 113mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını azaltır. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, solenoid kontrolleri ve şarj uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 45W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 601 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 113mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok