Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK7E5R2-100E,127
NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK7E5R2-100E
BUK7E5R2-100E,127 Hakkında
BUK7E5R2-100E, Nexperia tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 120A sürekli dren akımı ve 100V dren-kaynak gerilimi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5.2mΩ RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlayarak enerji kaybını minimize eder. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 349W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok