Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK7E5R2-100E,127-NXP
PFET, 120A I(D), 100V, 0.0052OHM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK7E5R2-100E
BUK7E5R2-100E,127-NXP Hakkında
BUK7E5R2-100E,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 120A sürekli dren akımı kapasitesi, 100V dren-kaynak gerilimi ve 5.2mOhm (10V, 25A'da) düşük on-direnç ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve enerji dönüştürme sistemlerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 349W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 349W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok