Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK7E3R1-40E,127
NEXPERIA BUK7E3R1-40E - 100A, 40
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK7E3R1-40E
BUK7E3R1-40E,127 Hakkında
BUK7E3R1-40E, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds On) ve yüksek anahtarlama hızı ile karakterizedir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol sistemleri, anahtarlama güç kaynakları ve hızlı anahtar gerektiren endüstriyel yönetim devreleri için tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 234W güç tüketebilir. 10V gate sürüşü voltajında 3.1mΩ maksimum on-state direnci sayesinde ısı kaybı minimalize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 234W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok