Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK7E2R6-60E,127
MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK7E2R6-60E
BUK7E2R6-60E,127 Hakkında
BUK7E2R6-60E,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Vdss ile 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu FET, 2.6mΩ Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 349W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, PWM kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 158nC gate charge ve 11180pF input capacitance (Ciss) değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±20V maksimum gate voltajı ve 4V gate-threshold voltajı ile güvenli ve kontrollü çalışma imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 349W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok