Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK7E2R3-40E,127-NXP
PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK7E2R3-40E
BUK7E2R3-40E,127-NXP Hakkında
BUK7E2R3-40E,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120A drain akımı ve 40V drain-source voltajı ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 2.3mOhm RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde zorlu ortam koşullarında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 109.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 293W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok