Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK7909-75ATE127

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-5
Seri / Aile Numarası
BUK7909-75ATE127

BUK7909-75ATE127 Hakkında

BUK7909-75ATE127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 75A sürekli dren akımı ve 75V drain-source voltajı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. TO-220-5 paketinde üretilen bu bileşen, sürücü devrelerine 10V sürüş voltajı ile uygulanır. Entegre sıcaklık sensörü diyodu sayesinde termal kontrol uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında, güç anahtarlaması, motor kontrolü ve elektriksel yönetim sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Feature Temperature Sensing Diode
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-5
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 272W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package TO-220-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok