Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK769R6-80E,118
NEXPERIA BUK769R6-80E - 75A, 80V
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK769R6-80E
BUK769R6-80E,118 Hakkında
BUK769R6-80E, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75A sürekli drain akımı ve 80V drain-source gerilim kapasitesi ile düşük bir 9.6mΩ on-resistance değerine sahiptir. Surface Mount TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve elektrik güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bileşen, ±20V gate gerilim toleransı ile esnek tasarıma olanak tanır. 182W maksimum güç disipasyonu ile yüksek akım uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4682 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 182W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok