Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK768R1-100E,118
NOW NEXPERIA BUK768R1-100E - 100
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK768R1-100E
BUK768R1-100E,118 Hakkında
BUK768R1-100E, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, motorlar, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev alır. 8.1mΩ on-resistance değeri ile enerji tasarrufu sağlar ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 108 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7380 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok