Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK762R4-60E,118

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
BUK762R4-60E

BUK762R4-60E,118 Hakkında

BUK762R4-60E,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 2.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Motor kontrolleri, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11180 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok