Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK761R8-30C,118

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
BUK761R8-30C

BUK761R8-30C,118 Hakkında

BUK761R8-30C,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu transistör, düşük 1.8mOhm (10V, 25A koşullarında) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama uygulamalarına uygundur. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile uygun ısıl yönetim sağlar. 333W maksimum güç tüketimi, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi ve 150nC gate charge özellikleriyle motor kontrol, güç dönüştürücü, batarya yönetimi ve DC-DC converter uygulamalarında kullanılır. Vgs threshold voltajı 4V (1mA'da) olup ±20V maksimum gate gerilimi ile güvenli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10349 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok