Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK761R4-30E,118
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK761R4-30E
BUK761R4-30E,118 Hakkında
BUK761R4-30E,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 1.45mOhm düşük on-state direnci (Rds On) ile enerji kaybını minimize eder. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketlemesi kompakt tasarımlara uygundur. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, load switching ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9580 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 324W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok