Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK761R3-30E,118
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK761R3
BUK761R3-30E,118 Hakkında
BUK761R3-30E, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 1.3mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama devreler ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 357W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv elektronik tasarımlarında değerlendirilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11960 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok