Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK7619-100B,118

MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
BUK7619-100B

BUK7619-100B,118 Hakkında

BUK7619-100B,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 64A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, 19mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate charge değeri 53nC olup hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. İnverter devreler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar. 200W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Üretim ve tedarik durumu olarak artık üretilmemektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok