Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK755R4-100E127
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK755R4-100E127
BUK755R4-100E127 Hakkında
BUK755R4-100E127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V Drain-Source voltajında 120A sürekli drenaj akımı sağlayabilen yüksek akım uygulamaları için tasarlanmış bir güç transistörüdür. 5.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 349W'a kadar güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 349W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok