Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK752R7-30B,127

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
BUK752R7

BUK752R7-30B,127 Hakkında

BUK752R7-30B,127, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 75A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 2.7mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı özellikleri sunar. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, 300W maksimum güç tüketimine kapasite sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrolü devrelerinde ve yüksek akım anahtarlama devreleri için tercih edilir. 91nC gate charge ve 6212pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon özelliğini belirtir. 10V gate sürüş gerilimi ile optimize edilmiş performans sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6212 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok