Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK751R8-40E127

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
BUK751R8-40E

BUK751R8-40E127 Hakkında

BUK751R8-40E127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 40V drenaj-kaynak gerilimi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.8mΩ düşük on-direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 349W maksimum güç dağıtımına dayanıklıdır. 10V gate sürüş gerilimi ile standart lojik devrelerle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11340 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 349W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok