Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK7510-55AL127
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK7510-55AL127
BUK7510-55AL127 Hakkında
BUK7510-55AL127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10mΩ maksimum kanal direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok