Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK724R5-30C118

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
BUK724R5

BUK724R5-30C118 Hakkında

BUK724R5-30C118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, 4.5mΩ (@ 25A, 10V) düşük on-state direnciye sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve elektrik yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 157W güç dağılımı kapasitesi sunar. 62nC gate charge ve 3760pF giriş kapasitanslı tasarımı, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Vgs maksimum ±20V toleransı ile geniş kontrol esnekliği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3760 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok