Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK6E4R0-75C,127
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK6E4R0-75C
BUK6E4R0-75C,127 Hakkında
BUK6E4R0-75C,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source voltajında 120A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, 4.2mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. 306W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. Bileşen halen üretilmemekte olup, envanterden temin edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 306W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok