Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK6E2R0-30C127
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK6E2R0
BUK6E2R0-30C127 Hakkında
BUK6E2R0-30C127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 120A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 2.2mOhm maksimum gate-source direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma, 306W maksimum güç tüketimi ve 229nC gate charge özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Through-hole montajı ile geleneksel PCB montaj yöntemlerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 229 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14964 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 306W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok