Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK6C2R1-55C,118-NX
PFET, 228A I(D), 55V, 0.0037OHM,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK6C2R1-55C
BUK6C2R1-55C,118-NX Hakkında
BUK6C2R1-55C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 228A sürekli dren akımı (Tc), 55V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 2.3mΩ on-state direnci ile düşük kayıp uygulamaları destekler. 10V gate sürüş geriliminde 253nC gate charge ve 16000pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde surface mount montajı ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 300W maksimum güç tüketebilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 228A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 253 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok