Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK663R2-40C,118
NEXPERIA BUK663R2-40C - 100A, 40
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK663R2-40C
BUK663R2-40C,118 Hakkında
BUK663R2-40C, NEXPERIA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.2mΩ (@ 25A, 10V) düşük Rds(on) değeri sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, motor sürücüleri, güç yönetimi, anahtar modülü ve endüstriyel denetim sistemlerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 204W güç tüketebilir. Gate charge değeri 125nC olup ±16V maksimum gate gerilimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 204W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok