Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK662R7-55C,118
PFET, 120A I(D), 55V, 0.0044OHM,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK662R7-55C
BUK662R7-55C,118 Hakkında
BUK662R7-55C,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120A sürekli drain akımı ve 55V drain-source gerilimi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.7mOhm (25A, 10V'de) düşük on-direnci sayesinde enerji kaybını minimize eder. Surface mount TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrolleri, güç kaynakları, şarj sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 306W maksimum güç tüketimini yönetebilir. 258nC gate charge ve 10V drive voltajı hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 258 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 306W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok