Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK662R5-30C,118-NXP
PFET, 100A I(D), 30V, 0.0048OHM,
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK662R5-30C
BUK662R5-30C,118-NXP Hakkında
BUK662R5-30C, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 2.8mΩ (25A, 10V) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulur. Güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 204W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Gate charge 114nC, Vgs(th) 2.8V@1mA, maksimum Vgs ±16V'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6960 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 204W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok