Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK661R6-30C118
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK661R6
BUK661R6-30C118 Hakkında
BUK661R6-30C118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 1.6mΩ düşük RDS(on) değeri ile ısıl kayıpları minimize eder. Surface Mount TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında 306W güç dağıtabilir. 10V kapı sürüm gerilimi ile standart sürücü devrelerle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 229 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14964 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 306W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok