Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK655R0-75C,127
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK655R0
BUK655R0-75C,127 Hakkında
BUK655R0-75C,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source voltajı ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. Motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, güç amplifikatörleri ve endüstriyel anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 5.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 263W maksimum güç dağıtabilir. Threshold voltajı 2.8V olup, ±16V gate voltajına kadar dayanıklıdır. Bileşen döngü ömrü sonuna ulaştığından yeni tasarımlarda yerine geçen modeller kullanılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok