Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK652R7-30C,127
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK652R7-30C
BUK652R7-30C,127 Hakkında
BUK652R7-30C,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montajlanır. 3.3mΩ @ 25A, 10V drain-source on-direnci ve 204W maksimum güç dağıtımı özellikleri vardır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. Gate charge karakteristiği 114nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6960 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 204W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok