Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

BUK652R3-40C,127

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
BUK652R3-40C

BUK652R3-40C,127 Hakkında

BUK652R3-40C,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu FET, 2.3mΩ (10V/25A) çok düşük on-direnç değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Gate kontrol voltajı ±16V'dir ve 2.8V eşik gerilimi ile hızlı çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15100 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok