Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BUK652R1-30C,127
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUK652R1
BUK652R1-30C,127 Hakkında
BUK652R1-30C,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük değiştirme devrelerinde yer alır. 2.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 263W güç yayınlama kapasitesiyle kalın akımları güvenle yönetebilir. Gate charge karakteristiği ve input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 168 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10918 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 263W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok