Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
BTS282ZE3180AATMA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2 Hakkında
BTS282ZE3180AATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 49V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. 6.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Entegre sıcaklık algılama diyoduna sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 300W güç dağıtma kapasitesidir. Part Status: Not For New Designs - eski tasarımlar için arşiv bileşenidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 49 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Temperature Sensing Diode |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 36A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO263-7-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok